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上海光機所無錐柱交界面KDP類晶體長籽晶快速生長技術取得重要進展

来源: 发布时间:2019-09-23 13:33:00

  近期,上海光機所應用于Ⅱ類切割的430mm口徑KDP類晶體的長籽晶快速生長技術取得重要進展。利用自主研發的KDP類晶體連續過濾快速生長系統,在國際上首次結合長籽晶點晶技術(籽晶長度260mm),獲得長籽晶KDP晶體(圖1),晶體尺寸爲471mm×480mm×400mm(長×寬×柱面高)。 

  初步測試結果表明,晶體透明度好,可以滿足無錐柱交界面的430mm口徑二类混频元件切割要求。该晶体的成功生长,验证了長籽晶快速生长技术制备大口徑无锥柱交界面DKDP晶體的可能性,爲後續430mm口徑DKDP晶體元件制備奠定基礎。 

  長籽晶生长技术存在一系列优点:(1)充分利用Ⅱ類晶體切割方向特點,提高晶體坯片的切片效率;(2)可以利用長籽晶对应的柱面区域进行元件切割,彻底消除了点籽晶单锥及双锥头快速生长固有的锥柱交界面,解决晶体内部锥柱交界面诱导的局域位相畸变及电场增强效应;(3)进一步改善了晶体生长过程中流场环境,有利于獲得高质量晶体;(4)充分利用了快速生長技術特點,430mm口徑晶体的制备周期为3-4個月,顯著優于慢速生長2-3年的制備周期。 

  相关晶体制备技术已经申请了專利(公开号:CN 109943881ACN110055579A)。目前利用该技术正在进行大口徑DKDP晶体研制的攻关工作,有望獲得突破性进展。(激光與紅外材料實驗室) 

1 连续过滤長籽晶快速生长技术制备的KDP晶體(晶體尺寸471mm×480mm×400mm,籽晶長度260mm

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